投资标的:晶盛机电 推荐理由:英伟达计划在新一代GPU中采用碳化硅中介层,提升散热性能并缩小封装尺寸,预计2027年导入。
晶盛机电已攻克12英寸碳化硅晶体生长技术,具备扩产能力,未来市场需求有望大幅增长,维持“买入”评级。
核心观点1- 英伟达计划在2027年新一代GPU中采用碳化硅中介层,以替代传统硅中介层,提升散热性能和封装效率。
- 碳化硅具有高热导率和优良的耐化学性,能够显著改善CoWoS结构的散热需求,开启新的市场机会。
- 晶盛机电积极扩产12寸碳化硅衬底,预计未来将受益于市场需求增长,维持“买入”评级。
核心观点2英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中采用碳化硅(SiC)中介层,预计在2027年导入。
英伟达的高阶GPU均使用CoWoS结构,随着GPU芯片功率的增加,硅中介层容易导致更高的散热需求。
碳化硅具有高热导率(490W/m·K),是硅的2-3倍,能够显著提升CoWoS结构的散热性能并减少封装尺寸。
同时,单晶SiC的耐化学性更好,可以制作更高深宽比的通孔,进一步缩小封装尺寸。
以当前英伟达H100的中介层为例,假设未来替换为碳化硅中介层,将带来显著的衬底需求。
台积电预计在2027年推出7×光罩CoWoS,增加中介层面积,从而对应更多衬底需求。
晶盛机电积极扩产6&8寸衬底产能,并已具备12寸能力,成功克服了12英寸碳化硅晶体生长中的技术难题。
盈利预测方面,晶盛机电的归母净利润预计在2025-2027年分别为10.1亿、12.5亿和15.4亿元,当前股价对应的动态PE分别为46、37和30倍。
考虑到公司多业务仍具备成长性,维持“买入”评级。
风险提示包括碳化硅导入CoWoS工艺不及预期及技术研发不及预期。