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东微半导:国投证券-东微半导-688261-行业竞争加剧,积极加大市场开拓力度-250428

研报作者:马良,朱思 来自:国投证券 时间:2025-04-28 23:39:36
  • 股票名称
    东微半导
  • 股票代码
    688261
  • 研报类型
    (PDF)
  • 发布者
    hb***zd
  • 研报出处
    国投证券
  • 研报页数
    5 页
  • 推荐评级
    买入-A
  • 研报大小
    344 KB
研究报告内容
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投资标的及推荐理由

投资标的:东微半导(688261) 推荐理由:公司在高压超级结MOSFET等产品线持续技术迭代,产销比高达93.81%。

尽管2024年利润承压,但营收实现同比增长3.12%。

预计未来收入和净利润持续增长,维持“买入-A”评级。

核心观点1

东微半导在2024年实现营业收入10.03亿元,同比增长3.12%,但归母净利润下降71.27%。

公司面临行业竞争加剧的压力,积极优化产品结构并加大市场开拓力度,逐步扩大生产规模。

预计2025年至2027年收入和净利润将持续增长,给予2025年55倍PE,目标价46.51元,维持“买入-A”评级。

核心观点2

东微半导在2024年度报告中公布了营业收入10.03亿元,同比增长3.12%,但归母净利润下降71.27%,仅为0.4亿元。

公司面临行业竞争加剧,产品销售价格下降的挑战,因此积极优化产品结构,推进高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiCMOSFET等产品线的技术迭代与升级,并加大市场开拓力度。

报告期内,公司产量持续提升,功率半导体的产销比达到93.81%。

在供应链方面,公司与华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek保持稳定合作,并与多家SiC代工厂合作,推进第三代半导体产品的研发与产能供应。

公司在高性能功率器件方面具备从专利到量产的完整经验,积极扩展中低压功率器件产品系列,获得多家重要客户的认可,订单需求上升。

650V、1200V及1350V的TGBT器件已进入多个应用领域,第二代、第三代650V和1200V平台的SiCMOSFET已完成量产考核,进入批量供货阶段。

公司研发成功的第四代SiCMOSFET性能处于国内领先水平,已进入送样验证阶段。

投资建议方面,预计公司2025年至2027年的收入分别为11.49亿元、13.53亿元和15.97亿元,归母净利润分别为1.04亿元、1.77亿元和2.41亿元。

给予2025年55倍PE,目标价为46.51元,维持“买入-A”投资评级。

风险提示包括行业需求不及预期、新产品研发导入不及预期、市场竞争加剧以及地缘政治风险。

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